인프런 커뮤니티 질문&답변
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Mosfet 풀 다운 저항.
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mosfet에 풀다운의 저항 목적은 확실하게 0v로 유지하여 의도치 않은 Turn on의 목적은 이해가 됩니다만, 게이트에 남아있는 전하를 방전 시키기 위함도 있다고 하셨는데.
앞전강의(게이트라이버 설계(1)) 에서 R27,D4의 목적도 동일하게 Sink 전류를 흘러서 방전을 시키는 목적으로 동일 한거면 10k옴의 저항쪽 방전보다 5옴의 Sink전류로 다 방전되지 않나요?
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질문 감사합니다.
답변드리면, 우선 말씀하신 것처럼 일반적인 상황에서는 5옴의 저항으로 대부분의 게이트의 전하를 방전하는게 맞습니다. 풀다운을 쓰는 주된 이유는 0V로 유지하기 위함이고, Fail-Safe 측면에서 게이트 전하를 방전시키는 역할도 존재합니다. 예를 들어서 게이트 드라이버가 고장으로 작동을 안하는 경우에도 다른 무언가는 확실히 게이트 전하를 방전 시켜줘야 합니다. 그 역할을 하는게 풀다운 저항이라고 생각하시면 좋을 것 같습니다.
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안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. dhanbi1님.
MOSFET 회로에서 풀다운 저항과 게이트 드라이버의 목적에 대한 질문을 해주셨네요. MOSFET의 게이트에 연결된 저항과 다이오드는 각각 중요한 역할을 하고 있습니다.
풀다운 저항: MOSFET의 게이트를 확실히 0V로 유지하는 것은 의도치 않은 턴온을 방지하기 위함입니다. 이 저항은 MOSFET가 꺼진 상태일 때 게이트를 낮은 전압으로 유지하기 위해 필요합니다.
게이트 드라이버(예: R27, D4): 게이트 드라이버 회로는 MOSFET을 빠르게 턴온/턴오프 시키는 데 도움이 됩니다. 이때 저항(R27)과 다이오드(D4)는 게이트에 남아 있는 전하를 신속하게 방전시켜 전환 속도를 높입니다. 저항 값이 낮은 것은 빠른 방전을 위해서입니다. R27 또는 D4의 조합은 일반적으로 더 많은 전류를 흘릴 수 있어서, 저항이 큰 풀다운 저항에 비해 더 빨리 게이트 전하를 제거할 수 있습니다.
요약하자면, 풀다운 저항은 MOSFET이 꺼진 상태에서는 불필요한 전압이 게이트에 남지 않도록, R27과 D4는 MOSFET이 켜지거나 꺼질 때 빠르게 전환되도록 도와줍니다.
모든 세부 사항들을 이해하며, 회로의 각 구성 요소의 역할을 파악하는 것은 설계나 문제 해결에 있어 중요합니다. 더 자세한 내용을 알고 싶으시면 MOSFET 게이트 드라이버 설계 이해하기를 참조하면 도움이 될 것입니다.
저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다. 현재 베타 기능으로 답변이 만족스럽지 않을 수 있는 점 양해 부탁드립니다. 🙏
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