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강의 17 MOSFET에 30A의 전류가 흐를때 RDS값이 1옴이면 전력은 900W가 아닌가요?
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P=I2R
여기서:
주어진 값:
전류 (I) = 30A
RDS 저항 (R) = 1 Ω
계산: P=(30A)2×1Ω P=900A2×1Ω P=900W
따라서, MOSFET에 30A의 전류가 흐르고 RDS 저항이 1 옴일 때 발생하는 전력은 900W가 아닌지 여쭙습니다.
퀴즈
회로 소자를 외부 전원 공급 없이도 동작하는 부품과 외부 전원이 필요한 부품으로 나눌 때, 외부 전원 없이 동작하는 부품을 무엇이라고 부를까요?
능동 소자
수동 소자
반도체 소자
집적 회로
답변 2
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질문 감사합니다.
강의 확인해보니 제가 계산을 실수 하였네요..ㅎㅎ;
말씀하신것처럼 Ron저항이 1옴이고, 30A가 흐르는 경우 발생하는 전력은 900W가 맞습니다.
감사합니다.
0
안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 윤동준님.
전동킥보드의 MOSFET에서 전력(P)을 계산할 때, 제시된 공식 ( P = I^2 \times R )을 사용하셨습니다. 이 공식을 통해 구한 결과에서 전력이 900W라고 언급하셨습니다. 이 계산은 일반적으로 맞습니다. 하지만 한 가지 주의할 점이 있습니다.
열 관리 문제: 900W라는 전력 소모는 매우 큰 값으로, 실제 회로 설계에서 문제가 될 수 있습니다. 이는 MOSFET이 상당량의 열을 발생시켜 손상을 초래할 수 있으므로 실제 시스템에서는 방열 설계가 필수적입니다.
저항값 확인 필요: 실질적인 환경에서는 RDS(on) 값이 가지고 있는 특유의 온도와 전류 조건에서 변화할 수 있습니다. 따라서, 데이터 시트를 통해 정확한 조건에서의 RDS 값을 확인하는 것이 필수적입니다.
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