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전동킥보드로 배우는 임베디드 실전 프로젝트

MOSFET의 특성과 동작 영역

강의 17 MOSFET에 30A의 전류가 흐를때 RDS값이 1옴이면 전력은 900W가 아닌가요?

해결된 질문

193

윤동준

작성한 질문수 1

1

 

 

P=I2R

여기서:

주어진 값:

계산: P=(30A)2×1Ω P=900A2×1Ω P=900W

따라서, MOSFET에 30A의 전류가 흐르고 RDS 저항이 1 옴일 때 발생하는 전력은 900W가 아닌지 여쭙습니다.

임베디드 stm32 hardware motordriver artwork

답변 2

0

제어쟁이

질문 감사합니다.

 

강의 확인해보니 제가 계산을 실수 하였네요..ㅎㅎ;

말씀하신것처럼 Ron저항이 1옴이고, 30A가 흐르는 경우 발생하는 전력은 900W가 맞습니다.

 

감사합니다.

0

인프런 AI 인턴

안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 윤동준님.

전동킥보드의 MOSFET에서 전력(P)을 계산할 때, 제시된 공식 ( P = I^2 \times R )을 사용하셨습니다. 이 공식을 통해 구한 결과에서 전력이 900W라고 언급하셨습니다. 이 계산은 일반적으로 맞습니다. 하지만 한 가지 주의할 점이 있습니다.

  • 열 관리 문제: 900W라는 전력 소모는 매우 큰 값으로, 실제 회로 설계에서 문제가 될 수 있습니다. 이는 MOSFET이 상당량의 열을 발생시켜 손상을 초래할 수 있으므로 실제 시스템에서는 방열 설계가 필수적입니다.

  • 저항값 확인 필요: 실질적인 환경에서는 RDS(on) 값이 가지고 있는 특유의 온도와 전류 조건에서 변화할 수 있습니다. 따라서, 데이터 시트를 통해 정확한 조건에서의 RDS 값을 확인하는 것이 필수적입니다.

더 깊이 있는 이해를 위해 강의의 질문 Q&A에 관련된 정보를 참고해 보시면 좋겠습니다. 또 다른 질문이 있다면 언제든지 추가로 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 더 정확한 답변을 드릴 것입니다.

저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다.
현재 베타 기능으로 답변이 만족스럽지 않을 수 있는 점 양해 부탁드립니다. 🙏
추가적으로 궁금한 점이 있으시면, 이어서 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 답변해 주실 것입니다.

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