인프런 커뮤니티 질문&답변

질문 감사합니다.

우선 게이트 저항을 키워서 드레인-소스의 서지 전압을 낮출 수 있습니다. 하지만 게이트 저항 값을 너무 높이면 결국 스위칭 속도가 느려지게 됩니다. 즉 스위칭 손실이 커지게 되어 효율이 떨어지게 됩니다. 그래서 어느정도 수준까지는 게이트 저항으로 드레인-소스 전압을 낮춰주고 스너버를 이용해서 서지 에너지만 골라서 흡수-->감쇠 해준다고 생각하시면 좋을 것 같습니다. 결과적으로는 튜닝을 해야되는 부분이고, 보통 EMC 테스트 과정에서 튜닝을 많이 하게됩니다.

안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. dhanbi1님.

MOSFET의 스너버 회로 사용에 대한 질문을 주셨군요. 게이트 저항과 스너버 회로는 각각 다른 방식으로 서지 전압을 완화하는 역할을 합니다.

1. 게이트 저항: 이는 MOSFET의 전환 속도를 제어합니다. 스위칭 속도를 조절함으로써 전환 과정에서 발생하는 과도 전압 및 전류 스파이크를 줄이는 역할을 합니다. 그러나 게이트 저항 조절만으로는 충분하지 않을 수 있습니다.

2. 스너버 회로: 스너버 회로는 고주파 스위칭에 의해 발생하는 D-S단의 서지 전압을 억제하는 데 특화되어 있습니다. 이는 주로 회로 내의 인덕턴스와 관련된 서지 전압에 대한 보완적인 역할을 합니다.

게이트 저항으로 서지 전압을 줄일 수는 있지만, 모든 형태의 서지를 완전히 억제하지 못할 수 있기 때문에 스너버 회로를 추가하면 이러한 위험을 보완하는 데 도움이 됩니다. 특히, 시스템이 더 높은 전압이나 전류에서 작동할 때는 스너버 회로가 필요한 경우가 많습니다.

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