인프런 커뮤니티 질문&답변
작성한 질문수
강의 17 MOSFET 선형영역 Vds 질문있습니다.
해결된 질문
작성
·
161
·
수정됨
1
우측 설명에서 Vds = 12V인것에 의문이있습니다.
의문의 시작은 Vg가 12V라면 Vds가 Vgs - Vth 보다 무조건 클수밖에없지않나? 에서 시작하였습니다.
GPT를 이용하여 공부해보니 , MOSFET이 도통될때는 외부에서 흐르는 전류에따라 Vds가 더 작게 결정된다고 이해하였습니다. 그렇다면 도통된상태에서는 Vds가 본래 걸어주던전압보다 더 작아진다는말인데 , 우측설명에는 Vds = 12V로 계산을 하여 혼란스럽습니다.
그런데 또 단순히 Node전압쪽으로 생각해본다면 S는 당연히 0V를 가지고있을것이고 , 위쪽은 12V를 인가하였으니 Ron에 걸리는 전압 = Vds = 12V라고 생각이 들기도 합니다. 무엇이 옳은것인지 모르겠습니다..
이해를 정확히 하지못하여 질문수준도 안좋은거같네요 죄송합니다 ㅠㅠ
퀴즈
회로 소자를 외부 전원 공급 없이도 동작하는 부품과 외부 전원이 필요한 부품으로 나눌 때, 외부 전원 없이 동작하는 부품을 무엇이라고 부를까요?
능동 소자
수동 소자
반도체 소자
집적 회로
답변 2
1
죄송합니다. 제가 피피티에 실수로 설명을 잘못 하였네요. MOSFET이 완전히 On되었을 때에는 Vds의 전압이 낮아집니다. 피피티 계산에서 Ids=Vds/Ron의 수식은 잘못되었습니다. 챗지피티 설명을 참고해주시길 바랍니다..!
0
안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 권영민님.
MOSFET의 동작을 이해하는 것은 복잡할 수 있으며, 특히 Vds 전압과 관련된 오해는 흔합니다. MOSFET의 선형 영역에서의 Vds와 관련된 질문에 대한 설명을 제공하겠습니다.
MOSFET의 선형 영역과 Vds:
- 선형 영역: MOSFET이 선형(액티브) 영역에 있을 때, Vds는 Vgs - Vth보다 작아야 합니다. 이 영역에서는 MOSFET이 작은 저항을 가지며, 전류 Id는 Vds와 거의 비례하게 흐릅니다.
- Vds의 실제 값: MOSFET이 온 상태일 때, 드레인-소스 간 저항 Rds(on)는 매우 작아지며, 이는 전류 흐름에 따른 전압 강하를 초래합니다. 예를 들어, Rds(on)이 0.05Ω이고 Id가 10A라면, Vds는 0.5V가 됩니다.
- 노드 전압을 고려할 때: 드레인 쪽에 12V를 인가하더라도, 소스에 0V가 걸려있는 구조라면, Rds을 통해 전압 강하가 발생하여 실제 Vds는 작아집니다. 이를 전류 흐름과 관련하여 이해해야 합니다.
질문하신 내용에서 Vds=12V라는 언급은 MOSFET이 충분히 열리지 않거나, 이상적인 경우에 대한 표현으로 잘못 해석될 수 있습니다. MOSFET이 온 상태에서는 Vds가 작아지는 것이 일반적입니다.
유사한 주제로 이해를 넓히고자 한다면, 다음의 링크에서 관련된 설명을 참고하시길 권장합니다:
- MOSFET의 선형 영역 특성 이해하기
저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다. 현재 베타 기능으로 답변이 만족스럽지 않을 수 있는 점 양해 부탁드립니다. 🙏 추가적으로 궁금한 점이 있으시면, 이어서 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 답변해 주실 것입니다.