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강의 17 MOSFET에 30A의 전류가 흐를때 RDS값이 1옴이면 전력은 900W가 아닌가요?
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P=I2R
여기서:
주어진 값:
전류 (I) = 30A
RDS 저항 (R) = 1 Ω
계산: P=(30A)2×1Ω P=900A2×1Ω P=900W
따라서, MOSFET에 30A의 전류가 흐르고 RDS 저항이 1 옴일 때 발생하는 전력은 900W가 아닌지 여쭙습니다.
답변 2
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질문 감사합니다.
강의 확인해보니 제가 계산을 실수 하였네요..ㅎㅎ;
말씀하신것처럼 Ron저항이 1옴이고, 30A가 흐르는 경우 발생하는 전력은 900W가 맞습니다.
감사합니다.
0
안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 윤동준님.
전동킥보드의 MOSFET에서 전력(P)을 계산할 때, 제시된 공식 ( P = I^2 \times R )을 사용하셨습니다. 이 공식을 통해 구한 결과에서 전력이 900W라고 언급하셨습니다. 이 계산은 일반적으로 맞습니다. 하지만 한 가지 주의할 점이 있습니다.
열 관리 문제: 900W라는 전력 소모는 매우 큰 값으로, 실제 회로 설계에서 문제가 될 수 있습니다. 이는 MOSFET이 상당량의 열을 발생시켜 손상을 초래할 수 있으므로 실제 시스템에서는 방열 설계가 필수적입니다.
저항값 확인 필요: 실질적인 환경에서는 RDS(on) 값이 가지고 있는 특유의 온도와 전류 조건에서 변화할 수 있습니다. 따라서, 데이터 시트를 통해 정확한 조건에서의 RDS 값을 확인하는 것이 필수적입니다.
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