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전동킥보드로 배우는 임베디드 실전 프로젝트

MOSFET 구동을 위한 게이트드라이버 설계 (1)

MOSFET Turn-off 시간이 Turn-on 시간보다 긴 이유가 무엇인가요?

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안녕하세요, 제어 쟁이님

MOSFET의 Turn-off 시간이 Turn-on 시간보다 오래 걸리는 이유가 궁금합니다.

좋은 강의 감사합니다.

답변 1

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안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 전력 전자 전문가님.

MOSFET의 동작 시간에 관한 질문은 많은 회로 설계자들이 처음에 직면하는 일반적인 의문 중 하나입니다. MOSFET의 Turn-off 시간이 Turn-on 시간보다 긴 이유는 여러 가지 요인에 기인합니다:

  1. 전하 축적: MOSFET 소스와 게이트 사이에 축적된 전하로 인해 Turn-off시에 이 전하를 제거해야 하는 시간이 필요합니다. 이 전하는 대개 게이트 캐패시턴스에 의해 결정됩니다.

  2. 캐패시턴스와 게이트 저항: Turn-off 과정에서 게이트로부터 전하를 제거하는 게이트 저항과 캐패시턴스의 조합이 시간이 더 오래 소요되도록 합니다. 이는 RC 해석을 통해 쉽게 이해할 수 있으며, ‘방전’ 속도가 느리기 때문입니다.

  3. 기생 성분: MOSFET 내의 다양하게 존재하는 기생 성분도 Turn-off 시간에 영향을 줄 수 있습니다. 특히, 다이오드와 같은 기생 소자가 전류 경로에 영향을 미칩니다.

이들 요인이 복합적으로 작용하여 MOSFET의 Turn-off 시간이 상대적으로 더 길어지게 됩니다. 보다 구체적인 작동 원리나 해석을 위해서는 제조사의 데이터 시트나 회로 시뮬레이션을 참고하시는 것도 좋은 방법입니다.

유사한 주제와 관련하여 이미 논의된 내용이나 다른 질문을 찾기 위해 아래의 링크를 확인해 보세요. 추가적인 실전 프로젝트 사례나 설명을 접할 수 있을 것입니다:
- 전동킥보드로 배우는 임베디드 실전 프로젝트

저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다.
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추가적으로 궁금한 점이 있으시면, 이어서 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 답변해 주실 것입니다.

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