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데이터 값 관련해서 질문이 있습니다! RB 를 설정할 때 Base -emitter saturation voltage 에서 max =0.95 이고 test 는 Ic= 50mA ,IB = 5mA 인데 정확히 이 값이 무엇을 말하는 지 모르겠습니다.
만약 이 값이 정해진 것이라기에는 V in 과 R_B 를 조정하면은 다른 값이 나올 수도 있을것 같은데 추가로 Rb 설정의 목표를 잘 모르겠습니다 만약 Ic 의 전류값이 0.2 보다 작은것이 목표라면 (Vin-V_BE)/Rb < 0.02 이런식으로 Rb를 구해야 하는 거 같은데 Electirical characteristic 의 전류와 전압이 목표인것인가요?
//그리고 이건 조금 별개의 질문인데 Fpga 쪽 칩 설계를 제외하고 임베디드 하드웨어 분야에서 전자회로 2 의 지식이 필요한가요? 다음 학기 전공이 많아 수강을 고민중입니다!
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네 질문 답변드리겠습니다.
우선 이 장표는 설계 목표와 입력 사양이 “정해진 값”인 상태에서 출발하는 예제입니다. 즉 설계 목표는 Ic=50mA로 흐르게 하는 것이고, 입력은 Vin=5V로 들어온다고 가정한 상황에서 RL과 RB를 설계하는 예시입니다. 그래서 질문하신 것처럼 Vin이 바뀌면 베이스 전류 Ib가 달라지고, 결국 같은 설계 목표를 유지하려면 RB는 당연히 다시 계산되어야 합니다.
그리고 장표에서 사용한 Base-emitter saturation voltage의 max=0.95V는 “ 우측 데이터시트의 시험 조건 Ic=50mA, Ib=5mA에서 트랜지스터를 포화로 몰아넣었을 때 최악의 경우 VBE(Sat)가 0.95V까지 올라갈 수 있다는 의미를 참고한 것입니다.
따라서 RB 계산에서 0.95V를 쓰는 이유는 “그 값이 반드시 나온다”가 아니라, 소자 편차/온도 등을 감안해도 IB가 부족해지지 않도록 worst-case 기준으로 여유 있게 설계하려는 목적이고, 반대로 실제 소자에서는 0.95V보다 낮게 나올 수도 있습니다.
네 전자회로 과목은 어느 분야로 취업을 준비하는지와 관계없이 필수적으로 수강을 하시는 걸 추천드립니다. 현업에서 마주치는 문제가 단순 펌웨어 문제가 아니라 회로의 문제 때문에 생기는 현상인 경우가 정말 많습니다.
예를 들어 GPIO로 트랜지스터나 MOSFET을 구동할 때 필요한 베이스/게이트 저항, 풀업/풀다운의 의미, 입력 임피던스와 노이즈, 레벨시프팅, 전원 리플·그라운드 바운스, 센서(홀/전류센서/ADC) 신호 컨디셔닝 같은 것들은 전자회로 2에서 배우는 소신호/트랜지스터/증폭기·바이어스·주파수 응답 개념이 있어야 “왜 문제가 생겼는지”를 빠르게 판단할 수 있습니다.
추가 질문 있으시면 언제든지 해주세요. 감사합니다ㅎㅎ
감사합니다!!