우측 설명에서 Vds = 12V인것에 의문이있습니다. 의문의 시작은 Vg가 12V라면 Vds가 Vgs - Vth 보다 무조건 클수밖에없지않나? 에서 시작하였습니다. GPT를 이용하여 공부해보니 , MOSFET이 도통될때는 외부에서 흐르는 전류에따라 Vds가 더 작게 결정된다고 이해하였습니다. 그렇다면 도통된상태에서는 Vds가 본래 걸어주던전압보다 더 작아진다는말인데 , 우측설명에는 Vds = 12V로 계산을 하여 혼란스럽습니다. 그런데 또 단순히 Node전압쪽으로 생각해본다면 S는 당연히 0V를 가지고있을것이고 , 위쪽은 12V를 인가하였으니 Ron에 걸리는 전압 = Vds = 12V라고 생각이 들기도 합니다. 무엇이 옳은것인지 모르겠습니다.. 이해를 정확히 하지못하여 질문수준도 안좋은거같네요 죄송합니다 ㅠㅠ
안녕하세요. 강사님. 강의 잘 보고 있습니다. 감사합니다. 한 가지 궁금한게 있어서 질문 드립니다. 모터 속도 측정 가능한 센서로 엔코더에 대한 설명이 전 장에 있었는데요. 만약 홀 센서와 분해능이 높은 엔코더가 있다면 속도 측정할 때 어떤 센서를 사용해서 속도를 측정하는 것이 더 좋은지 강사님 의견을 듣고 싶습니다. 강의를 보면 홀 센서를 사용해서 속도를 측정해도 문제가 없을 것 같은데, GPT에 물어보니 홀 센서를 사용하여 속도 측정시 저속에서 부정확하다는 의견이 있어서 여쭤봅니다.
안녕하세요, 벅 컨버터 설계에서 벌크 커패시터의 최소 용량을 구하는 공식에서 델타t를 50usec(20kHz)를 사용한다고 하셨는데 이건 어떤 스위칭 주파수를 말하는 건가요? 이 전에 벅컨버터의 스위칭 주파수는 544kHz라고 하셔서 20kHz는 어디서 나온 건지 궁금합니다. 감사합니다.
안녕하세요. 강사님. 강의 잘 보고 있습니다. 한 가지 궁금한게 있어 질문 드립니다. STM에선 TIM2~5에 3개의 HALL 센서 신호를 XOR하여 처리할 수 있는 하드웨어가 있는 것으로 알고 있습니다. 각 센서 신호를 각각 외부 인터럽트로 설정하는 것보다 XOR하여 CC1 인터럽트가 발생할 때마다 처리하는게 제 생각엔 더 깔끔할 것 같은데 외부 인터럽트로 설정하는 이유가 있을까요?
P = I2R 여기서: 주어진 값: 전류 ( I ) = 30A RDS 저항 ( R ) = 1 Ω 계산: P =(30A) 2 ×1Ω P =900A 2 ×1Ω P =900 W 따라서, MOSFET에 30A의 전류가 흐르고 RDS 저항이 1 옴일 때 발생하는 전력은 900W 가 아닌지 여쭙습니다.
안녕하세요. 아직 완강하지는 않았지만 강의를 구매 후 살펴보아도 실제 어떤 부품을 구매 해야 하는지에 대한 내용은 찾지를 못해서 질문 남깁니다. 키트로 판매하신다는 물품 외에 쓰로틀, 인휠모터, 소형모터 그 외 필요한 부속 품들에 대한 자세한 정보나 링크를 찾지 못하겠습니다. 그리고 추가로, 모니터 밖의 상황(?)은 보여 주시지 않는건가요? 예를 들면 인휠모터가 돌아가는 장면 이라던가.... 실제 전동킥보드를 만들어본다고 해서 강의를 수강하기 시작했는데 실제 킥보드를 개조하여 재조립하는 부분이라던지, 이런 부분들은 없고 그냥 ‘전동킥보드를 만드는걸 상상하며 소형 모터를 제어해보자’ 이런 개념인건지 궁금합니다.
상부 FET만 PWM으로 제어하는 방식으로 사용한다고 하셨는데 그러면 하부 FET에 PWM CH1N은 오히려 상부와 대칭적으로 주면 안되고 필요할 때 On/Off 주는 것이 안전한 것 아닌가요? 지금처럼 대칭으로 PWM을 주면 상부 하부 전부 PWM을 주는 구조가 되는 것이어서 앞서 설명하는 상부 FET만 PWM 주는 구조와는 맞지 않는 것 같습니다.
