작성한 질문수 12

0

질문 감사합니다.

우선 게이트 저항을 키워서 드레인-소스의 서지 전압을 낮출 수 있습니다. 하지만 게이트 저항 값을 너무 높이면 결국 스위칭 속도가 느려지게 됩니다. 즉 스위칭 손실이 커지게 되어 효율이 떨어지게 됩니다. 그래서 어느정도 수준까지는 게이트 저항으로 드레인-소스 전압을 낮춰주고 스너버를 이용해서 서지 에너지만 골라서 흡수-->감쇠 해준다고 생각하시면 좋을 것 같습니다. 결과적으로는 튜닝을 해야되는 부분이고, 보통 EMC 테스트 과정에서 튜닝을 많이 하게됩니다.

0

안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. dhanbi1님.

MOSFET의 스너버 회로 사용에 대한 질문을 주셨군요. 게이트 저항과 스너버 회로는 각각 다른 방식으로 서지 전압을 완화하는 역할을 합니다.

1. 게이트 저항: 이는 MOSFET의 전환 속도를 제어합니다. 스위칭 속도를 조절함으로써 전환 과정에서 발생하는 과도 전압 및 전류 스파이크를 줄이는 역할을 합니다. 그러나 게이트 저항 조절만으로는 충분하지 않을 수 있습니다.

2. 스너버 회로: 스너버 회로는 고주파 스위칭에 의해 발생하는 D-S단의 서지 전압을 억제하는 데 특화되어 있습니다. 이는 주로 회로 내의 인덕턴스와 관련된 서지 전압에 대한 보완적인 역할을 합니다.

게이트 저항으로 서지 전압을 줄일 수는 있지만, 모든 형태의 서지를 완전히 억제하지 못할 수 있기 때문에 스너버 회로를 추가하면 이러한 위험을 보완하는 데 도움이 됩니다. 특히, 시스템이 더 높은 전압이나 전류에서 작동할 때는 스너버 회로가 필요한 경우가 많습니다.

이와 관련된 더 깊이 있는 내용을 확인하거나 유사한 질문을 확인하실 수 있는 강의 Q&A 페이지를 추천해드립니다. 더욱 자세한 설명은 전동킥보드로 배우는 임베디드 실전 프로젝트 강의 게시판에서 확인해 보실 수 있습니다.

저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다.
현재 베타 기능으로 답변이 만족스럽지 않을 수 있는 점 양해 부탁드립니다. 🙏
추가적으로 궁금한 점이 있으시면, 이어서 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 답변해 주실 것입니다.