데이터 값 관련해서 질문이 있습니다! RB 를 설정할 때 Base -emitter saturation voltage 에서 max =0.95 이고 test 는 Ic= 50mA ,IB = 5mA 인데 정확히 이 값이 무엇을 말하는 지 모르겠습니다.만약 이 값이 정해진 것이라기에는 V in 과 R_B 를 조정하면은 다른 값이 나올 수도 있을것 같은데 추가로 Rb 설정의 목표를 잘 모르겠습니다 만약 Ic 의 전류값이 0.2 보다 작은것이 목표라면 (Vin-V_BE)/Rb < 0.02 이런식으로 Rb를 구해야 하는 거 같은데 Electirical characteristic 의 전류와 전압이 목표인것인가요? //그리고 이건 조금 별개의 질문인데 Fpga 쪽 칩 설계를 제외하고 임베디드 하드웨어 분야에서 전자회로 2 의 지식이 필요한가요? 다음 학기 전공이 많아 수강을 고민중입니다!

바텀 , 이너1에는 다 배치가 되어있는데 탑에만 배치안되어있길래 여쭤봅니다그리고 나눠주신 EDA파일에 PGND 배선이 빠져있는것 같습니다. 확인 한번 해주시면 감사하겠습니다.다시 파일불러와보니 잘 되어있네요. 제가 만지다 지운거같습니다.

현업에서는 위 식들은 이론적으로 다 알고 데이터시트 없이도 계산해낼 수 있어야하나요? 아니면 그냥 대충 저런식인갑다 하고 데이터시트에서 식 보고 변수를 넣어서 계산만 해낼줄 알면 되나요?

다만들면 직접 타고다녀도 되나요?

안녕하세요! 우선, 연달아 두개나 질문드려 죄송합니다. 양질의 강의를 연달아 듣다 보니 질문도 자꾸 생각이나 찾아보다가, 정확한 답이 안나와 질문드립니다. 감사합니다.강의에서는 6스텝 유니폴라 방식으로 인버터를 설계하셨는데, 저는 추후 FOC 제어까지 확장해 보고 싶습니다. 이해한 바로는, 현재 방식에서 제어로직만 바꾼다고 될 것은 아니라고 생각이 드는데,이 경우 FOC 적용을 위해 MCU 측 제어 로직만 변경하면 되는지, 아니면 인버터 내부 게이트 드라이버 구성도 변경이 필요한지, 또는 회로도(전류 센싱/보호회로 등)까지 수정이 필요한지 궁금합니다. 만약 수정이 필요하다면 제공해주신 알고리즘 및 회로도 정도에서의 응용으로 충분히 가능한 편인지, 아니라면 어떤 부분을 더 공부하고 적용해봤으면 좋을지 조언주시면 감사하겠습니다.

본 강의노트 기반으로, 단상 풀브릿지 인버터 같은 경우 양방향 전류를 흘릴수 있다고 하는데, 단상 하프브릿지도 같지 않나는 의문에 질문 남깁니다. gpt 모델 답변으로는 전류 제어성에 따라 다르다는데, 제가 아는 바에선 두가지 인버터에서 양or 음전압을 제어할뿐 전류는 부하특성에 맞게 어느방향으로든 흐를수 있지 않나요?추가로 강의 내용 너무 좋은것같아 감사드립니다. 3학년 과정에서 배운 내용들이 너무 잘 정리되어있어 편합니다. 감사합니다.

LED_ONOFF 실습 영상에서처럼 프로잭트를 생성했는데 .IOC 파일만 생성되고 나머지 INCLUDE파일이나, SCR파일은 생성되지 않습니다. 어떻게 해결해야 하나요?생성과정에서 다음과 같은 애러가 발생했었습니다. 

Vout이 낮아지면 VFB가 낮아져서 VFB<VREF가 돼서 오차 증폭기 출력이 high가 돼서 switch가 on이 돼서 Vout 전압값을 올린다 1.VFB<VREF인 상황이면 증폭기 출력은 0V가 나와야 하는거 아닌가요?증폭기의 +단자에 Vfb -단자에 Vref라서 V+<V-인 상황에서의 출력값은 0V인것으로 알고 있는데 이부분이 헷갈립니다.2. switch가 on이 되는것이 왜 Vout 전압값을 올리는 결과가 나오는 것인지 궁금합니다. 

프로젝트 생성 후 Includes를 제외한 나머지 폴더,파일 제거라고 하셨는데ioc 파일밖에 안보입니다. 어떻게 해결하면 좋을까요?

안녕하세요. 수업 잘 듣고 있습니다 ^^24V 모터로 실습을 진행할려고 합니다.준비물에 써져있는 iseeu 2.5A 어댑터로 모터 기동시 전류용량 초과로 꺼지는거는 아닌지 궁금합니다!

안녕하세요. 게이트 드라이버 IC와 모터 드라이버 IC와 차이점이 있나요?그리고 피드백 루프와 주파수 보상회로를 제외한다면 게이트 드라이버 IC가 외장 FET 벅컨버터로 사용할 수 있는 것인지 문의 드립니다.  

안녕하세요 펌웨어 실습 중인데요디버그 모드로 진입하려고 하니 st-link가 없다고 나타납니다 따로 뉴클레오 보드를 사야하는건가요? 아니면 펌웨어 제작강의 부터 봐서 보드를 만들어야 하나요?부품리스트 엑셀 파일에도 없어어 여쭤 봅니다. 추가로 챌린지에 강의에는146. 속도제어,Teleplot 강의자료147. 모터,배터리,가방,킥보드,홀커터 정보148. 기술면접자료_실무회로149. 기술면접자료_모터&인버터150~152 번 내용은 없어서 어떻게 되는 건지 여쭤봅니다.

SAR ADC의 샘플링 타임을 크게 한다는 것은 결국( 3 cycles -> 15 cycles -> 28 cycles ...)정밀도 향상이라고 강의 영상에서 말씀하셨습니다.그리고, 정밀도 향상과 시간 덜 쓰기는 Trade-off 관계라는 말씀을 하셨습니다.그러면 결국SAR ADC의 샘플링 타임 작게 하기 = 정밀도 하락 but 시간 덜 쓰기(T_conv)SAR ADC의 샘플링 타임 크게 하기 = 정밀도 향상 but 시간 많이 쓰기(T_conv)라고 이해했습니다. 제가 옳게 이해했는지 궁금합니다.

안녕하세요. 선생님 다름이 아니라 TPS 데이터 시트 25P에 Resr 구하는 공식을 이용하여 계산해봤습니다.  5m옴이 어떻게 나왔는지 궁금합니다. 추가로 지금은 공부 목적으로 데이터시트 하나씩 읽어가면서 설계중인데 실제로 실무에서는요구사항을 입력하면 회로를 설계해주는디자인 툴 같은 것이 있는지도 궁금합니다.강의:벅컨버터 제대로 설계해보기(2)  

안녕하세요. 강사님.강의 잘 보고 있습니다.MOSFET Self Turn-on 동작 원리가 이해가 되지 않습니다.하단 스위치가 On이 되어 V_DS 전압이 떨이지면 왜 상단 V_GS 전압이 양으로 튀어오를 수 있는건가요?

이부분에서 만약 커패시터를 150nF 하나로 대체하면 어떤 문제가 생기나요? 그리고 뒤의 강의를 봐도 커패시터를 달때 바이패스 커패시터를 제외하고 계속 두개씩 달아주던데 이유가 있나요?

쓰로틀 회로설계 시전압을 2.2k와 3.9k옴으로 분배하여 3.2V 전압으로 측정하는 것과  배터리 전압을 ADC로 센싱하기 위해 82k와 4.99k 옴으로 분배하여 2.16V 전압 레인지로 측정하는 건 이해했습니다.  추가로 저항 비율을 동일하게 하여 전압분배에 사용된 저항의 소모전력을 줄이는 것까지도 느꼈습니다만... 해당 저항값이 어떻게 계산된건지 전류 측면에서 설명해주시면 감사하겠습니다. 추가로 고급과정 개강일자도 궁금합니다. 

1. 실제로 PCB에 회로가 올라갈때는 아래 그림과같이 올라가나요?2. GND는 왜 두개인가요?데이터시트에 다르면 100nF 커패시터는 핀당 하나씩 들어가는거 아닌가요? 3.3v가 연결된 핀은 8개로 보이는데 왜 9개의 100nF 커패시터가 달려있나요? 

안녕하세요, 제어 쟁이님최대 입력 전압 관련하여 질문 있습니다. ADC 측정을 위한 저항 설계 부분에서 최대 입력 전압은 42V로 되어 있고, 인덕터 선정 부분에서 인덕턴스 값을 구하는 공식의 최대 입력 전압은 50V로 되어 있습니다. 이렇게 최대 입력 전압을 다르게 하신 이유가 궁금합니다. 좋은 강의 감사합니다.

안녕하세요 제어쟁이님.컨버터 구간(12V → 5V)을 학습하던 중, 커패시터 배치 방식에 대해 궁금한 점이 있어 질문드립니다. 보통 LDO 회로에서는 100nF와 같은 소용량 세라믹을 칩에 가장 가깝게, 그다음으로 22uF 전해/MLCC를 배치하는 것으로 알고 있습니다. 그런데 PCB 설계에서는 22uF가 100nF보다 스위칭 소자에 더 가깝게 배치되어 있었습니다. 이에 대해 제가 이해한 내용을 정리해 보았는데, 맞는지 확인 부탁드립니다.전동기 인버터는 일반적인 LDO와 달리 수 A 단위의 큰 스위칭 전류 리플이 주요 과제라고 생각했습니다. 따라서 MHz 이상의 고주파 노이즈 억제(100nF)보다, 수백 kHz~MHz 대역의 스위칭 리플 전류를 효과적으로 줄이는 22uF MLCC를 스위칭 루프에 더 가깝게 두어 루프 임피던스를 최소화하는 것이 더 중요했을 것이라 이해했습니다. 제가 정리한 이 관점이 실제 설계 의도와 부합한다고 보아도 될까요? 바쁘신 와중에 답변해주셔서 감사합니다.