[2. 질문 내용] : 강의를 구매한지 1주일이 지났으나 아직 멤버쉽 등업이안되었습니다.[3. 시도했던 내용, 그렇게 생각하는 이유] : 10월2일 경에 해당강의와 FPGA강의를 구매하고 form을 작성했으나 아직 등업이 되지 않았습니다.

속성에서 경로상에 한글이 없는것 확인하였는데 계속 첨부한 사진처럼 에러가 뜹니다. 찾아보니 권한 관련 얘기가 있어서 관리자 권한으로 실행등의 방법도 시도해보았는데 그대롭니다. 현재 노트북이라서 C드라이브에 놓긴했는데 그거때문일까요? (SD카드 꼽아서 D드라이브에서도 같은 에러가 발생하긴 했습니다.) 사진 첨부하겠습니다  

안녕하세요, 섹션15. AAPCS : TRACE32 디버깅 실습 (2024년 버전) 의 119. Armv7-A: BL 명령어 실행 후 스택 Push 및 Pop 디버깅 실습 (Practice1-Part2) 강의에 3분10초쯤에서 push {r4,r5,r11,r12,r14,pc} 명령을 실행하는데, 왜 스택에 push 되는 pc 값이 C0253990 인지를 모르겠습니다. 그러니까 스택 화면(d.v 윈도우)에서 스택 주소(CC181BFC)에 push되는 값이 pc 값이 C0253990으로 확인되는데, 해당 push 명령은 C0253988 이고, 명령 실행시 레지스터 화면(r 윈도우)에서도 pc 값이 C0253988에서 C025398C로 변경되는데 스택에 push되는 pc 값은 왜 C0253990 ... 인가요 ... ? ++++개인적으로 조사해보니...ARMv7에서 파이프라인 성능향상을 위해 2개의 명령어를 prefetch 해놓았기 때문이라고 하는 것 같은데요 ... 그럼 trace32의 레지스터 화면(r 윈도우)의 값이 잘못되고, 스택 메모리 화면(d.v 윈도우)의 값이 맞다는걸...까요?

3가지 그림을 보고 각각 어떤것을 추측할 수 있어야 되는 건가요?

안녕하세요 학습 중에 코드를 보고 궁금증이 생겨 질문 드립니다. DataMem spec을 보면 mem 이 4byte짜리로 총 128개로 구성되어 있는데, always 문을 보면 mem[0] ~ mem[63] 까지의 공간을 사용하는 것으로 보입니다. 나머지 mem[64] ~ mem[127] 까지는 사용이 안되는거 같은데, 그러면 굳이 reg [31:0] mem [127:0] 으로 선언한 이유가 있을까요?? 뭔가 제가 파악하지 못한 의도가 있는것인지 궁금하여 질문드립니다!! 감사합니다.

안녕하십니까 Matbi님너무 잘 학습하고 있습니다. [의문사항][1번]Matbi님이 작성하신 코드처럼 num_cnt를 reg로 선언하고always block으로 num_cnt <= i_num_cnt를 하게 되면 clk소모에 따른 delay도 발생하고HW resource도 사용한다는 단점이 있는거라고 생각하는데 맞을까요? [2번]1번이 맞다면단점 외에 장점이 있기 때문에 저렇게 작성하신걸까요?어떤 장점이 있는걸까요? [3번]아래처럼 기술해도 되는걸까요?// 기존 코드 assign is_read_done = o_read && (addr_cnt_read == num_cnt-1); // reg와 always 구문 없이 // input wire로 입력되는 i_num_cnt를 그대로 사용하는 경우 assign is_read_done = o_read && (addr_cnt_read == i_num_cnt-1); 항상 감사합니다!!! 

안녕하세요 Matbi님강의 2회독중입니다.Vitis의 header file은 tool이 자동으로 생성해준다는 것은 이해했습니다. 그리고 main.c의 코드를 직접 작성했다고 하셨습니다.[질문사항]header file에 있는 함수의 기능을 이해하고 계신 건데 그건 따로 공부하신 건가요?예를 들어 C에서 <iostream>의 std::cin, std::cout의 기능을 알아야 쓸 수 있는 것처럼요 따로 공부하신거라면 어떻게 공부하셨을까요? 문서를 통해 공부하신건지... 항상 감사합니다!!

encoder의 경우, output이 [1:21]로 서술되어 있습니다. 근데 tb를 보면 output인 encoded_message가 [21:1] 로 선언되었는데, 이렇게 선언하게 되면 encoded_message 에 들어오는 값은 B[21:1] 로 매칭되서 들어오게 되는건가요? 아니면 tb 코드에서 [21:1]로 잘못 선언한 것인지 궁금합니다! 감사합니다.

안녕하세요 제어쟁이님.컨버터 구간(12V → 5V)을 학습하던 중, 커패시터 배치 방식에 대해 궁금한 점이 있어 질문드립니다. 보통 LDO 회로에서는 100nF와 같은 소용량 세라믹을 칩에 가장 가깝게, 그다음으로 22uF 전해/MLCC를 배치하는 것으로 알고 있습니다. 그런데 PCB 설계에서는 22uF가 100nF보다 스위칭 소자에 더 가깝게 배치되어 있었습니다. 이에 대해 제가 이해한 내용을 정리해 보았는데, 맞는지 확인 부탁드립니다.전동기 인버터는 일반적인 LDO와 달리 수 A 단위의 큰 스위칭 전류 리플이 주요 과제라고 생각했습니다. 따라서 MHz 이상의 고주파 노이즈 억제(100nF)보다, 수백 kHz~MHz 대역의 스위칭 리플 전류를 효과적으로 줄이는 22uF MLCC를 스위칭 루프에 더 가깝게 두어 루프 임피던스를 최소화하는 것이 더 중요했을 것이라 이해했습니다. 제가 정리한 이 관점이 실제 설계 의도와 부합한다고 보아도 될까요? 바쁘신 와중에 답변해주셔서 감사합니다.

데이터 시트에 VDD 주변에 100nF 20개를 달아야 한다고 나와있어서, 과한게 아닌가 싶어 좀 찾아보니 저희 사용하는 마이컴의 레이아웃에는 VDD가 5개라 VDD 갯수만큼 캡이 추가된 걸로 이해를 했습니다. 하는 김에 전원핀 관련된 Cap을 하나하나 찾아봤는데요.저희 회로도에서 100nF짜리가 2개가 남는것 같습니다.VDD 5개 : 100nF 5개 + 4.7uFVDA : 100nF 1개 + 1uFVref+ : 100nF 1개 + 1uF?? : 100nF 2개설계상 마진으로 두신거라고 이해하면 될까요?

안녕하세요, 시뮬레이션 결과를 보던 중 이해가 잘 안가는게 있어서 질문드립니다! 여기서 W_CRC는 제가 이해하기로는 '나머지' 에 대응되는 코드로, 나머지가 '0' 이면 오류가 없는 것이고, 나머지가 '0' 이 아니라면 오류가 있음을 알리는 코드로 알고 있습니다. 근데 시뮬레이션 결과를 보면 각 입력 데이터 r_data에 대응되어서 모두 0이 아닌 다른 값으로 update 되는데 그러면 CRC 오류가 있어서 저런 결과가 나오는거로 이해하면 될까요?? 감사합니다!

섹션2 실무 회로 강의 자료p.8, p.9가 강의 순서랑 다릅니다

안녕하세요. 해당 강의에서TIM1->RCR = 0x0001; 은 50us(20khz)로 나와 TIM1 interrupt function이 20KHz 동작으로 알고 있습니다.하지만, 다운 받은 코드는 해당 주석이 100us로 나와있는데, 어떤게 맞는지 궁금합니다.제 의견으로는 PWM 함수에서 Counter-aligned mode3으로 설정되서 RCR=1이 Edge-aligned mode의 2주기가 아니라 1주기동작인 20Khz가 맞는거 같은데, GPT에서는 RCR=0 → 매 주기(50 µs)마다 인터럽트 → 20 kHz 인터럽트RCR=1 → (RCR+1)=2 → 2주기(100 µs)마다 인터럽트 → 10 kHz 인터럽트라고 해서 2주기라고 하는데 무엇이 맞는지 답변 부탁드립니다.

안녕하세요. 강사님.강의 잘 보고 있습니다.전류 측정을 위한 차동 증폭기 설계 부분에서 fLPF 를 72.3kHz로 두셨는데 그 기준이 있을까요?스위칭 주파수가 20kHz니까 그보다 커야할 것 같긴한데, 당연히 하드웨어마다 다르겠지만 보통 처음 설계할 때 설정하는 값이 있는지 궁금합니다.

안녕하세요 🙂[1. 질문 챕터] : eg) 몇 장, 몇 분 몇 초 쯤. or 수강생 분들이 봤을 때 어디구나?! 할 수 있게 표기 부탁 드려요.[2. 질문 내용] : eg) 질문 내용을 자유롭게 작성해주시면 되겠습니다 🙂[3. 시도했던 내용, 그렇게 생각하는 이유] : eg) 설치영상은 이렇게 시도했는데 안되더라 or 본인의 생각을 적어주세요. (실습 내용 중에 이해가 안되거나 잘못된 내용이 있는데, 이러 이러한 근거로 나는 이렇게 생각합니다.) ================ 다음 내용은 읽어보시고 지우시면 됩니다.=================질문 내용을 작성해주실 때, 위의 3단계로 제가 이해할 수 있게 작성해주시면 정확한 답변을 드릴 수 있을 것 같아요!!현업자인지라 업무때문에 답변이 늦을 수 있습니다. (길어도 만 3일 안에는 꼭 답변드리려고 노력중입니다 ㅠㅠ)강의에서 다룬 내용들의 질문들을 부탁드립니다!! (설치과정, 강의내용을 듣고 이해가 안되었던 부분들, 강의의 오류 등등)이런 질문은 부담스러워요.. (답변거부해도 양해 부탁드려요)개인 과제, 강의에서 다루지 않은 내용들의 궁금증 해소, 영상과 다른 접근방법 후 디버깅 요청, 고민 상담 등..글쓰기 에티튜드를 지켜주세요 (저 포함, 다른 수강생 분들이 함께보는 공간입니다.)서로 예의를 지키며 존중하는 문화를 만들어가요.질문글을 보고 내용을 이해할 수 있도록 남겨주시면 답변에 큰 도움이 될 것 같아요. (상세히 작성하면 더 좋아요! )먼저 유사한 질문이 있었는지 검색해보세요.잠깐! 인프런 서비스 운영 관련 문의는 1:1 문의하기를 이용해주세요.=================hello_world 수업을 듣고 있는데 선생님처럼 옆에 몇번 줄인지 전 안나와서.. 코딩할 때 몇번 줄인지 확인하는게 편하더라구요 어떻게 설정해야하나요?

아직 배터리를 구매를 안해서 용량관련 질문드립니다.10Ah말고 15ah부터는 따로 가방을 사야하나요?

계속 해봤는데 ioc파일만 있고 main.c가 있는 부분이 안뜨는거 같아요.

21분쯤 내용을 보면, Write 동작시에도 Write 이후 Pre Charge Stage를 거치는 것을 볼 수 있습니다. 만약 제가 8Bit에 해당하는 하나의 Word 라인을 선택하여,'1001 0001' 이라고 Write를 했을때,1로 선택된 Column은 Write Driver가 값을 밀어 넣어 Cap에 1로 Write가 되었을 것이고,0으로 선택된 Column은 WBL을 통해 방전이 됬을 것입니다. 이러고 ACT를 Low로 내려서 Write 상태를 빠져나가게 되면 제 생각엔, Precharge를 할 필요가 없을 거 같은데 왜 Write 시에도 Precharge를 해주는지 궁금합니다! Read Operation 시에는 RBL과의 Charge Sharing으로 인해서 어느정도 Cap에 저장되어 있던 전하가 소실되기 때문에 읽기 작업이 끝났으면 다시 소실된 전하를 채우기 위해 Refresh하는것은 이해한 상태입니다!

LED 핀 변경됐다는 공지글 보고 코드도 변경 됐을텐데 하면서 강의자료 살펴봤지만 업데이트가 되어있지 않아서 실습코드 찾아보니 여기에 업데이트 되어있는 것을 확인했네요 변경된 코드내용이 PDF와 공지글에도 업데이트 되어있으면 좋겠습니다 감사합니다