디지털 회로설계 실무 : Computer Architecture 와 SoC 프로토콜 Digital IP 설계하기
한 회차에서 많은 너무 많은 질문을 드리는 것 같네요... 한번에 질문 드려야 하는데 볼때마다 새롭게 궁금하는 점이 생겨 또 질문드립니다... always @(posedge clk, negedge rstn) if (!rstn) cc_re_d <= 0; else cc_re_d <= cc_re; 위 코드의 경우 Cache에 read enable 하는 변수에 해당하는 것 같습니다. cc_re와 cc_re_d를 별도로 변수를 초기화 하고, clk 신호에 맞게 동기화를 하는 이유를 잘모르겠습니다. (제가 생각한 내용은 cc_re의 경우 i_cpu_req 신호에 비동기로 값을 변경하고, 해당 값을 clk 동기화 신호에 맞게 cc_re_d에 넣게되면, clk 주기 사이에 cc_re의 값이 변경되어도 cc_re_d의 값은 clk가 주기가 오기전까지 값을 유지하게 되는 상황인데 굳이 cc_re의 경우에만(추가로는 mem_we_d도 마찬가지) 이런식으로 구성한 이유를 잘모르겠습니다.) + 추가로 찾아보니 메타스테이블 상태를 방지하기 위함 - 레벨 트리거(cc_re가 그대로 전달될 경우) 신호가 엣지 트리거(다른 always @문에 사용되는 구문들) 상태와 겹치는 상태에서 불안정한 신호를 전달하기 때문이라는데, (레벨 트리거 신호를 엣지 트리거 상태로 변경하기 위함인가요?) 이게 맞는 내용일까요? => 그렇다면 다른 레벨 트리거 변수들은 위와 같이 동기화 신호로 안바꿔주는 이유가 궁금합니다...)
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always @(posedge i_clk, negedge i_rstn) begin if(!i_rstn) r_wb_mem <= 0; else if(w_cpu_we) r_wb_mem[w_cc_wa] <= 1; else if(w_mem_re) r_wb_mem[w_cc_wa] <= 0; else if(w_mem_we) r_wb_mem[w_cc_wa] <= i_cpu_write; end 위 코드의 경우 별도의 설명이 없었던 것 같습니다. 코드를 분석하는 중 궁금한 점이 몇가지 생겨서 질문 드립니다. cpu_we이 1인 경우 CPU에서 (읽기를 통해 값을 비교하여 바꾸는 작업이 아닌) 쓰기 작업에 대한 요청을 보냈기 때문에 Main Memory에 값을 쓰기 위한 wb이 반드시 1로 되는게 맞는건지 궁금합니다. mem_re가 1인 경우 wb이 0이 되는 것이 헷갈립니다. 제가 이해한 Write Back은 쓰기 Main Memory에 데이터를 저장하는 것이기 때문에 mem_re 즉, 읽기 요청이 왔을 때 쓰는 행위가 같이 일어나면 안되는 것이라서 그런것인지 궁금합니다. (추가로 다른 이유가 있는지 궁금합니다.) mem_we가 1인 경우 memory에 Data를 써야하기 때문에 i_cpu_wirte에 값을 전달 받는 것이 아니라 1이 되어야 하는게 아닌지 궁금합니다.(i_cpu_write가 0인데 mem_we가 1인 상태가 궁금합니다. => 그냥 메모리에 쓸 준비가 되어 있는 상태에서 i_cpu_write 요청이 들어오면 그때 wb을 1로 만들겠다는 의미가 맞는지 궁금합니다.) 아직 해석이 완벽하지 않아 내용 정리 및 전달이 미흡한점 죄송합니다.
안녕하세요! 현재 강사님의 동적 할당 메모리 강의에서 아래 예제 소스코드를 파헤쳐보고 있는데요! #include <stdio.h> #include <stdlib.h> int main(void) { int* pList = NULL; pList = (int*)malloc(sizeof(int) * 3); pList[0] = 10; pList[1] = 20; pList[2] = 30; for (int i = 0; i < 3; ++i) { printf("%d\n", pList[i]); } free(pList); return 0; } 그런데 디버그 모드로 실행하면서 메모리 뷰를 보고 있는데, 잘 이해가 되지 않는 지점이 있어 질문드립니다. (제가 개인적으로 MacOS를 사용해서 CLion 이라는 IDE를 쓰긴하는데, 강의 속 visual studio 처럼 메모리 뷰를 보는 기능은 동일하게 제공해주어서 제가 사용하는 IDE 첨부사진인 점 양해 부탁드리겠습니다 (__) ) 우선 break point를 아래처럼 라인 바이 라인으로 설정한 후 하나씩 실행해보고 있는데요. 한 step 씩 사진을 첨부하면서 설명을 하겠습니다. 1.정수 포인터 변수인 pList 에 주소 연산자(&)을 써서 "정수 포인터 변수의 메모리 주소"를 확인 => 64비트 운영체제 컴퓨터에서 포인터 변수는 8바이트(64비트) 크기를 차지하기에 이것은 이해가 됩니다 2.정수 포인터 변수인 pList를 메모리 윈도우에서 확인 => 이 부분이 명확히 잘 이해가 가지 않습니다. 일단 pList를 메모리 윈도우에 입력했을 때 pList가 '정수' 타입으로 선언했기 때문에 사진 속 초록색 영역이 4바이트(32비트) 크기인 것은 알겠는데, 초록색 영역에 들어있는 "ff c3 00 d1" 은 의미가 무엇인가요..? 사실 근본적으로 pList가 정수 포인터 변수인 것은 알겠는데, 메모리 윈도우에 pList 를 입력했을 때랑 &pList 입력했을 때의 차이가 명확하게 무엇인지 스스로에게 설명을 못하겠습니다.. 3.다음 break point로 한 step 실행한 뒤, pList에 주소 연산자(&)를 써서 메모리 윈도우를 확인 => 소스코드에서 pList에 NULL을 할당했기 때문에 아래 사진 속 메모리 윈도우에서 빨간색으로 변한 영역이 0으로 변한 것은 이해가 갑니다. 4. 3번 단계에서 메모리 윈도우에서 pList를 입력한 후 확인 => 이 부분도 잘 모르겠습니다. pList를 메모리 윈도우에 입력하니까 failed to read memory 메세지가 뜨면서 메모리를 읽지 못한다는 문제가 발생했는데, 왜 읽지 못하는 것인지.. 이해가 가질 않습니다. 5. 다음 break point로 한 step 실행한 뒤 pList를 메모리 윈도우에 입력한 후 확인 => 소스코드에서 malloc() 함수가 정의되어 있는 라인이 실행된 후에야 4번에서 발생한 문제가 사라지더라구요. 4번에서 발생한 문제의 원인을 모르니 5번에서 왜 문제가 해결되었는지도 연쇄적으로 잘 이해가 가지 않네요.. 혹시 위 5개 단계에서 제가 질문한 부분에 대해 답변 가능하신지 여쭙습니다. 동일한 visual studio 환경이 아니라 죄송합니다 ㅠ 천천히 답변주세요! 기다리겠습니다 🙂
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SRAM 코드의 경우 posedge에서 memory에 값을 넣는 동시에 ad, din 값을 하나씩 커지게 동작 시키면 기능 합성에는 문제가 되지 않지만, Delay가 적용되면 값이 흐트러 질 수 있는거 아닌가요? (예를 들면 negedge에 값을 넣어준다던가 해야하는게 아닌가요?)
안녕하세요~ 강의 열심히 따라가다가 그동안 배워온 것들 복습을 진행중입니다. 그러다가 함수 관련해서 질문이 있는데요! 강의 속에서 함수를 정의하면 해당 함수의 이름에는 배열처럼 메모리 주소가 할당된다고 하셨는데요! 좀 더 자세히 살펴볼려고 디버그 모드로 정의된 함수 이름에 어떤 메모리 주소가 들어가 있는지 살펴보고 있었습니다. Q1. 그런데 특이하게 디버그 모드를 최초로 실행할 때부터 함수 이름에 메모리 주소가 일종의 쓰레기값..(사진 속에서는 16진수로 ff 값이 적혀있네요)으로 정의되어 있고 이후 코드 실행 step 을 계속 실행시켜도 별다른 값으로 업데이트가 되지 않더라구요. 그렇다는 것은 런타임에 들어가기 전부터 빌드 타임에 함수 이름에는 메모리 주소가 최초로 1번만 할당되고 런타임 때는 할당되지 않는 것으로 이해하면 될까요?(마치 size of 연산자처럼 컴파일 연산자 처럼요..비교가 좀 다를 수 있긴 합니다만..) Q2. 함수의 메모리 주소도 포인터를 이용해서 막 여기 저기 활용하는 사례도 많나요??(마치 문자열이나 다른 배열을 포인터로 활용하는 것처럼..) Q3. 그리고 어쨌건 최초로 변수를 선언하고 정의할 때 메모리가 할당되는 시점은 무조건 빌드 타임에 할당되는 것이죠? 그러면 런타임에 메모리가 할당되는 시점도 있나요..? 자꾸 헷갈리네요! 혹시 질문이 이해가 안가신다면 답글 달아주세요! 감사합니다 :)
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Precharge 상태가 왜 VDD와 동일한지 궁금합니다. 제 생각에는 0.5Vcc를 유지해야 하는게 아닌가 싶어서 질문을 드립니다. 20:04초 그림을 보게되면 Precharge 상태에서 BL이 VDD와 동일하게 차 있는 것을 볼 수 있는데 이렇게 되면 Charge Sharing이 일어나게 되면 캐패시터에 Write되지 않은 상태(0.5Vcc)에서 무조건 전압이 높아지고, 센스 앰플에 의해 1의 신호가 전달되면 캐패시터의 값이 Write가 일어나지 않았는데도 1의 값을 저장하게 되는게 아닌가 싶어 질문 남깁니다.
강사님께서는 VS를 통하여 영상을 올리셨습니다만, 많은 분들께서는 저처럼 VScode를 사용하고 있을거라 생각합니다 제가 서칭하여 얻은 결과가 도움이 될까하여 공유해봅니다 혹시 문제가 된다면 글 내리겠습니다! @@ 아래 과정은 영상의 코드를 그대로 사용합니다 -- 수정 -- VScode Extension에서 MemoryView를 검색하여 다운 영상의 예제코드, F5 클릭으로 디버깅 수행 그러면 하단 터미널 레이아웃 목록에서, MEMORY 목록이 뜰겁니다 클릭 해당 레이아웃 상단의 + 버튼을 클릭합니다 영상에서처럼 변수 이름을 입력합니다 ( &test ) ( 변수일 경우 &변수이름 , 배열일 경우 배열이름 입력 ) 이어서 디버깅 수행하시면 메모리 값을 볼 수 있습니다 저는 성공적으로 메모리값을 보고 있지만 혹시나 안되시는분들은 MemoryView Extension 관련해서 직접 찾아보길 바랍니다 :)
파일 플러싱 => Output에만 적용 => 메모리에 담긴 파일이 어딘가로 흘러 내보내진다는 의미 ex) Console 입/출력 => 장치 추상화 파일 CON의 구성요소 stdin, stdout는 각각 Buffer를 가지고 있음 => Process가 출력을 하면 Output Buffer에 출력할 내용이 쌓임 => Buffer가 비워지면서 Console에 출력 => 이 일련의 과정을 OS가 처리 이 과정에서 OS가 할 일이 많아지면 Buffer에 쌓이는 속도가 느려질 수 있음(Buffering) 이 때 빠르게 Buffer를 비워서 콘솔에 출력을 하고 싶을 때 fflush() 함수를 사용 이렇게 정리 해봤는데 맞게 이해한 걸까요?
안녕하세요! 강의 속에서 아래 코드를 설명해주시면서 .. printf("%s\n", &szBuffer[4]); printf("%s\n", &*(szBuffer + 4)); 주소 지정 연산자와 간접 지정 연산자가 서로 반대이기 때문에 두 개가 만나면 없어진(?)다 라고 하셨는데요! 여기서 '서로 반대' 라는게 막 피부에 와닿게 잘 이해가 되지는 않네요.. 일단 그냥 암기해야 할까요..? 이 '서로 반대이다' 라는 뜻을 완벽히 이해한 것은 아닌데 다음 진도를 나가는 게 맞는 건가 싶어서요!
키보드 입력 → 키보드의 디바이스 드라이버 → OS의 어떤 요소 → 키보드를 추상화한 인터페이스 → Input Buffer메모리에 한 글자 단위로 저장(Read) Output Buffer 메모리에 한 글자 단위로 복사(Write) → 콘솔을 추상화한 인터페이스 → OS의 어떤 요소 → 콘솔의 디바이스 드라이버 → 콘솔 출력 이렇게 정리 해보았는데 맞을까요?
