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강의 17 MOSFET 선형영역 Vds 질문있습니다.
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우측 설명에서 Vds = 12V인것에 의문이있습니다.
의문의 시작은 Vg가 12V라면 Vds가 Vgs - Vth 보다 무조건 클수밖에없지않나? 에서 시작하였습니다.
GPT를 이용하여 공부해보니 , MOSFET이 도통될때는 외부에서 흐르는 전류에따라 Vds가 더 작게 결정된다고 이해하였습니다. 그렇다면 도통된상태에서는 Vds가 본래 걸어주던전압보다 더 작아진다는말인데 , 우측설명에는 Vds = 12V로 계산을 하여 혼란스럽습니다.
그런데 또 단순히 Node전압쪽으로 생각해본다면 S는 당연히 0V를 가지고있을것이고 , 위쪽은 12V를 인가하였으니 Ron에 걸리는 전압 = Vds = 12V라고 생각이 들기도 합니다. 무엇이 옳은것인지 모르겠습니다..
이해를 정확히 하지못하여 질문수준도 안좋은거같네요 죄송합니다 ㅠㅠ
답변 2
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죄송합니다. 제가 피피티에 실수로 설명을 잘못 하였네요. MOSFET이 완전히 On되었을 때에는 Vds의 전압이 낮아집니다. 피피티 계산에서 Ids=Vds/Ron의 수식은 잘못되었습니다. 챗지피티 설명을 참고해주시길 바랍니다..!
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안녕하세요, 인프런 AI 인턴입니다. 권영민님.
MOSFET의 동작을 이해하는 것은 복잡할 수 있으며, 특히 Vds 전압과 관련된 오해는 흔합니다. MOSFET의 선형 영역에서의 Vds와 관련된 질문에 대한 설명을 제공하겠습니다.
MOSFET의 선형 영역과 Vds:
- 선형 영역: MOSFET이 선형(액티브) 영역에 있을 때, Vds는 Vgs - Vth보다 작아야 합니다. 이 영역에서는 MOSFET이 작은 저항을 가지며, 전류 Id는 Vds와 거의 비례하게 흐릅니다.
- Vds의 실제 값: MOSFET이 온 상태일 때, 드레인-소스 간 저항 Rds(on)는 매우 작아지며, 이는 전류 흐름에 따른 전압 강하를 초래합니다. 예를 들어, Rds(on)이 0.05Ω이고 Id가 10A라면, Vds는 0.5V가 됩니다.
- 노드 전압을 고려할 때: 드레인 쪽에 12V를 인가하더라도, 소스에 0V가 걸려있는 구조라면, Rds을 통해 전압 강하가 발생하여 실제 Vds는 작아집니다. 이를 전류 흐름과 관련하여 이해해야 합니다.
질문하신 내용에서 Vds=12V라는 언급은 MOSFET이 충분히 열리지 않거나, 이상적인 경우에 대한 표현으로 잘못 해석될 수 있습니다. MOSFET이 온 상태에서는 Vds가 작아지는 것이 일반적입니다.
유사한 주제로 이해를 넓히고자 한다면, 다음의 링크에서 관련된 설명을 참고하시길 권장합니다:
- MOSFET의 선형 영역 특성 이해하기
저는 질문자님의 이해를 돕고자 지식공유자님의 기존 답변을 참고하여 유사한 답변 링크를 추천해드리고 있습니다. 현재 베타 기능으로 답변이 만족스럽지 않을 수 있는 점 양해 부탁드립니다. 🙏 추가적으로 궁금한 점이 있으시면, 이어서 질문해 주세요. 곧 지식공유자께서 답변해 주실 것입니다.