안녕하세요. 삼코치님 질문이 있습니다. 이해가 조금 어려운 부분인데요. Ethernet 통신은 100MHz-500MHz로 나와있고, MII의 경우도 100MHz가 표준이라고 확인을 했습니다. 이런 Ferrite Bead를 사용하게 되면 해당 주파수만 강하게 억제되고 나머지 주파수 대역만 통과하는 그런 필터가 되어 버리지 않나요? 100MHz 의 통신을 하는데 강하게 억제가 되어버린다면 통신감쇠가 되어 통신이 불안정하게 될거라고 생각이 되는데... 답변해주 시면 감사하겠습니다.!
안녕하세요. 제가 약간 질문을 할 때 이해한 부분이 맞는지? 질문하는경우가 있어 이해 부탁드립니다. 1.Working Voltage는 TVS 다이오드가 동작하지 않고 시스템이 정상 동작하는 것을 의미하는것인가요? 2.Clamping voltage는 약간 Delta signal 처럼 순간적인 어떤 상황에서 의미하는 것일까요? surge는 제가 이해한 바로는 물이 넘쳐흐르는것으로 이해를 했는데 그러면 Clamping voltage이상의 전압이 인가되었을 때도 서지라고 생각하면 될까요?
안녕하세요. 질문사항이 있습니다. 강의 2분51초에 전원포트가 1/2/3/4/5 여러개있다고 설명해주셨는데, 칩 전체의 3D? 관점에서 이 포트를 다 연결해야 안정적인 전원을 공급해줄 수 있다는 의미일까요? 아날로그와 디지털 VDD를 개별로 연결해 준다고 하셨는데 1개의 SMPS가 아닌 아날로그용 SMPS 디지털용 SMPS 이렇게 2개의 전원부를 넣어준다는 의미일까요?
Power budget 작성하기 수강중 궁금한사항이 생겨 질문 드립니다. -.3.3V를 기준으로 MCU,PHY, ADC등을 동작하도록 그에 맞는 전류 값을 찾아 Power budget을 최대로 잡았는데, 데이타 시트를 보면 구동 전압 범위도 다른 것 같습니다. 일반적으로 소자마다 어떤 최적값을 기준으로 두고 사용을하는건지 아니면 전압 드롭으로 만들어진 전압을 기준으로 사용하는지 궁금합니다.
안녕하세요, 질문이 있어서 글 남깁니다. 킥보드를 조립하여 간단히 테스트 해보았는데 주행 후 쓰로틀을 놓아도 관성으로 인해 모터가 돌아가다가 멈추게 되는데 이때 전류값이 크게 관측되더라구요. gpt에 물어보니 모터가 돌아가면서 발전기가 되어 보드 측에서 측정되는 것 같은데 펌웨어적으로 수정할 수 있을까요? 하드웨어 적으로 잘은 모르지만, 쓰로틀을 놓았을 때는 하단 스위치만 on을 하는 방법이 괜찮은 방법일지 궁금합니다. (혹은 다른 방법이 있다면 안내 부탁드립니다.) 혹시 강사님께서도 테스트 하실 때 이런 경우가 있으셨는지도 궁금합니다. 감사합니다.
HSI 정리문서에서 Excell 자료에서 쓰로틀 다항식을 차트로 만드셔서 구하셨습니다. 엑셀 자료에 인자 값에 대하여 궁금합니다., A열과 B열의 데이터를 넣고 차트를 그려서 다항식 수식이 만들어 지는데, A열은 쓰로틀의 전압은 1.1v부터 동작하여 전압분배의 최대값인 2.6v까지 하여 0.1V step으로 데이터를 기입한 건 이해가 됩니다. B열의 CCR값은 어떤 계산된 데이터를 넣으셨는지 궁금합니다.
U(A)상,V(B)상,W(C)상 제어를 위한 코드에서 TIM1을 이용해서 3상에 20KHz의 PWM을 신호를 발생 시키는데. 여기서 2가지 질문이 있습니다. 20KHz의 PWM 선정 조건이 있는지 궁금합니다. 단순 실험적 조건인건지, 아니면 하이사이드의 충전 시간 등 어떠한 고려 사항을 토대로 선정을 하셨는지 궁금합니다. 20KHz의 상보 동작의 구동방식에서 어떤식의 코드에서 상단만 PWM이 들어가고 하단은 상보동작의 ON/OFF 시스템이 되는지 궁금합니다. 아마, Set_Phases 함수인거 같은데 해당 부분에 부연 설명 좀 부탁드리겠습니다.
안녕하세요. 해당 강의에서 유니폴라 PWM제어 방식에서 상단 스위치만 PWM을 해서 구동을 하신다고 하셨습니다. 여기서 상단만 PWM , 하단은 ON/OFF 제어를 통해 스위칭 손실 감소와, 전류센싱에 유리한 점은 이해됩니다. 하지만, 상단 스위치 PWM의 경우는 상단 MOSFET이 LOW일때, 부트스트랩 커패시터가 충전을 하게 되는데, 듀티비가 잘못계산되어 충전 기회가 적어서 Rds(on)이 증가되어 발열이 나거나, 심한경우 MOSFET이 ON이 안되는 경우가 생기지 않나요? 구동의 안정성은 상단 PWM보단 하단 PWM 제어가 더 안정성이 높지 않나요?
안녕하세요. 인버터 설계시 부트스트랩 커패시터 관련 문의드립니다. 현재 영상에서는 부트스르탭 커패시터로 C60 (100nF) 을 사용하셨습니다. 인버터 설계시 부트스트랩 회로에서의 부트스트랩 커패시터와 PWM의 주파수가 적절해야 하는걸로 알고 있습니다. 혹시 100nF으로 설계하신 이유가 아래의 사양서상 추천 용량을 사용하신 건가요? (0.022µF to 0.1µF local decoupling capacitor is recommended between the HB and HS pins.) 혹시 그렇다 하시면, 해당 커패시터에 걸리는 충전전압 11.3V이므로 정격 전압은 15V 이상의 커패시터 전압용량으로 선정해야 안전한건가요?