BRAM의 동작 방식에 대해 궁금한 점이 있습니다.
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일단 메모리 동작 방식에 대해 제가 아는건 Sequential와 Random Access가 있고, 말 그대로 순차적으로 메모리를 접근하는 방식과 임의의 위치에 바로 접근하는 방식으로 알고 있습니다.
BRAM을 소개하실 때 Random Access가 가능하다고 하셨는데, 이번 실습은 Sequential Access 방식인거같습니다.
간단하게 구현하기 위해 Sequntial 방식으로 구현하신 건가요???
그리고 mem_ce 신호는 Clock En 신호 같은데 신호를 계속 바꿔주는 이유가 있을까요?
답변 4
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여기 slv_reg2에 cnt값을 저장하지 않고 따로 reg만들어서 cnt를 저장하는 이유가 있을까요>?
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아하.
먼저 서두에 말씀드리고 싶은건.
제공해 드린 코드는 정답이 아닙니다. 설계자가 판단하는 거에요.
===================
저의 의도가 궁금하신것이니 적습니다.
cnt 를 하려고 slv_reg2 를 만든것이 아닌, slv_reg2 번은 initial value 값이 저장 되어있고, 나중에 확인해보기위한 용도 였다. 생각하시면 될 것 같습니다. (큰 의미는 없어요 ㅎㅎ)
즐공하세요 :)
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네 감사합니다!!
또 공부하다가 궁금한게 생겨서 하나 더 여쭤보겠습니다 ㅎㅎ,,
메모리의 위치를 나타내는 cnt를 사용할 때 Write Addr의 값을 'h8로 접근하여 사용하는데, 이 때 AXI4_Lite 내의 Reg2를 사용하지 않고 따로 F/F을 만들어서 cnt를 사용하는것이 특별한 의미가 있나요??
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안녕하세요 :)
간단하게 구현하기 위해 Sequntial 방식으로 구현하신 건가요???
맞습니다. Random Access 가능하세요. counter 기반의 addr 방식 대신 바꾸시면 됩니다 :)
그리고 mem_ce 신호는 Clock En 신호 같은데 신호를 계속 바꿔주는 이유가 있을까요?
Power saving 측면에서 ce 를 꺼두는 방식을 사용합니다.
동작만 보실꺼면, ce 를 '1' fix 하시면 됩니다. (현업에서 ASIC 하시면, ce 를 '1' 로 고정시키는 케이스는 거의 없으실 꺼에요)
즐공하세요 :)
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