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V BAT의 경우에는 1.65~3.6 V 까지 제가
외부 전압 인가가 가능하다(선택사항)
맞을까요?
그 뒤 VDD 1/2/..14/20
에서 VSS 1/2//....14/20 까지의 연결되는 부분에
2-*100nF + 1 *4 uF 이 적혀있는데
이 부분이 잘 해석이 안되는데 VDD/VSS 로 가는 회로가 20개가 있다. 그러니까 이 병렬 회로에 각각 100nF을 연결하고 직렬로 4uF 커패시터를 연결하라는 건가요? 그렇다기에는 VDD에서 VSS 까지의 개수가 20개도 아닌거 같고 잘 해석이 되지않아서 질문드립니다 ! 항상 좋은 강의 감사드립니다1
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안녕하세요, 질문 주셔서 감사합니다. 문의하신 STM32F767 전원 설계와 관련하여 답변 드립니다.
우선, STM32F767의 표준 동작 전압(Nominal Voltage)은 3.3V입니다. 데이터시트에 명시된 1.65V ~ 3.6V는 제조사에서 동작을 보장하는 허용 범위일 뿐, 설계 시에는 표준인 3.3V를 공급하는 것이 원칙입니다. 따라서 3.3V 전원으로 설계해야 합니다.
현재 사용 중인 STM32F767VIT6 모델은 전원을 인가해야 하는 핀이 총 8개 존재합니다.(STM32F767xxxx --> 뒤의 모델 명에 따라서 핀 구성이 다릅니다.)
안정적인 전원 공급을 위해 각 핀마다 100nF 디커플링 커패시터를 배치하였으며, JTAG 및 블루투스 모듈 전원부에도 동일하게 적용되었습니다.
또한, 전원 노이즈 억제를 위해 4.7µF(또는 4µF) 커패시터를 병렬로 추가 연결하였고, 2.2uF 대신 1uF을 병렬로 2개 적용 하였습니다.
추가로 궁금한 점이 있으시면 언제든 댓글로 남겨주세요. 감사합니다~!
우선 현재 회로도를 보시면 VBAT,VDD,VREF+,VDDA 전원 핀(전부 3.3V)이 있습니다. 데이터시트에서 20개은 stm32f767vit6가 아닌 다른 MCU를 사용했을 때 최대 20개까지 바이패스 커패시터를 달아줘야 되는 겁니다. 현재 저희 MCU는 전원핀이 8개니까 8개만 달아주면 되겠죠?
회로도 파일에는 편의를 위해서 병렬로 커패시터를 쭉 나열했지만, 실제 PCB상에서는 위의 그림과 같이 각 핀에 하나씩 커패시터를 달아주게 됩니다.
위의 PCB를 보시면 각 MCU 전원 핀 근처에 커패시터를 배치한 것을 볼 수 있습니다. 우선 예시로 C41~C43을 표기하였고 나머지도 마찬가지 입니다.
이해 안되시면 댓글 부탁드려요!
이 부분을 읽는 것이 잘 이해가 안됩니다 . 앞에 20 * 왜 붙어있고 저런 식으로 병렬로 설계해서 전압을 인가한다면 굳이 왜 병렬로 인가하는지도 잘 이해가 안됩니다 또한 플러스가 병렬로 해석되는것은 커패시터여서 그런것 같은데 저런식으로 한번에 병렬로 설계하면 ADC 용 과 분리가 안되는 것 아닌가요? 이쪽에 기초가 없다보니 어렵네요 감사합니다!